Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / STGWT30H60DFB
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-3P
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.55 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 60 A
Pd - рассеивание мощности 260 W
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Серия STGWT30H60DFB
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
