IXDN75N120

Технология Si

Упаковка / блок SOT-227B-4

Вид монтажа SMD/SMT

Конфигурация Single Dual Emitter

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.2 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C Неизвестно

Pd - рассеивание мощности Неизвестно

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия IXDN75N120

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tube