Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / IXYP8N90C3D1
Нет ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBTs
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-220-3
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 900 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.15 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 20 A
Pd - рассеивание мощности 125 W
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Серия IXYP8N90
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
