Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / IKY75N120CH3XKSA1
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO247-4-2
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 150 A
Pd - рассеивание мощности 938 W
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Серия Неизвестно
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару