Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / FGB5N60UNDF
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 5A NPT IGBT
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-263AB-3
Вид монтажа SMD/SMT
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.4 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 10 A
Pd - рассеивание мощности 73.5 W
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия FGB5N60UNDF
Квалификация Неизвестно
Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
