Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / IXBT42N170
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) BIMOSFET 1700V 75A
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-268-3
Вид монтажа SMD/SMT
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1700 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.3 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C Неизвестно
Pd - рассеивание мощности Неизвестно
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия IXBT42N170
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару