Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / NGTB50N120FL2WG
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/50A FAST IGBT FSII
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-247
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.2 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 100 A
Pd - рассеивание мощности 535 W
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Серия NGTB50N120FL2
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
