Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / IXGA36N60A3
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT PT-LOW FREQUENCY
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-263AA-3
Вид монтажа SMD/SMT
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.4 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 200 A
Pd - рассеивание мощности 220 W
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия Неизвестно
Квалификация Неизвестно
Упаковка Неизвестно
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
