Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / IHW30N160R2FKSA1
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-247-3
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.8 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 60 A
Pd - рассеивание мощности 312 W
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Серия 600V TRENCHSTOP
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
