Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / SGH30N60RUFDTU
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Dis Short Circuit Rated IGBT
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-3P-3
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.2 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 48 A
Pd - рассеивание мощности 235 W
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия SGH30N60RUFD
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
