Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / IXXK200N60C3
Нет ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT 600V IGBT GenX3
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-264-3
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.6 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 340 A
Pd - рассеивание мощности 1.63 kW
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Серия IXXK200N60
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
