Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / FGA30N60LSDTU
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30A 600V N-Ch Planar
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-3PN-3
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Неизвестно
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C Неизвестно
Pd - рассеивание мощности Неизвестно
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия FGA30N60LSD
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару