Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / STGFW80V60F
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-3PF
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.85 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 120 A
Pd - рассеивание мощности 79 W
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Серия STGFW80V60F
Квалификация Неизвестно
Упаковка Неизвестно
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару