Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / FGD5T120SH
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 5A Field Stop Trench IGBT
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок DPAK-3
Вид монтажа SMD/SMT
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.9 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 25 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 10 A
Pd - рассеивание мощности 69 W
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия FGD5T120SH
Квалификация Неизвестно
Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
