Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / IRGB14C40LPBF
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 430V LO-VCEON DISCRETE IGBT
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-220-3
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 430 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.4 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 10 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 20 A
Pd - рассеивание мощности 125 W
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия Неизвестно
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
