Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / FGY75N60SMD
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V, 75A Field Stop IGBT
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок Power-247
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Неизвестно
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.9 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 150 A
Pd - рассеивание мощности 750 W
Минимальная рабочая температура Неизвестно
Максимальная рабочая температура Неизвестно
Серия FGY75N60SMD
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару