Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / IKA08N65ET6XKSA1
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Discrete 650 V TRENCHSTOP IGBT6 with soft, fast recovery anti-parallel Rapid diode
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-220FP-3
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 11 A
Pd - рассеивание мощности 33 W
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Серия IGBT6
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
