Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / FGD3N60UNDF
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-252-3
Вид монтажа SMD/SMT
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.4 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 6 A
Pd - рассеивание мощности 60 W
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия FGD3N60UNDF
Квалификация Неизвестно
Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
