Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / FGH60N60SMD-F085
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/60A Field Stop IGBT Gen 2
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-247-3
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.14 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 120 A
Pd - рассеивание мощности 600 W
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Серия FGH60N60SM_F085
Квалификация AEC-Q101
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару