Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / IXA55I1200HJ
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT 1200V 84A Single IGBT
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок ISOPLUS 247-3
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.8 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 84 A
Pd - рассеивание мощности 290 W
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия IXA55I1200HJ
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
