IXGN400N30A3

Есть ROHS

Описание:

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 400 Amps 300V 1.15 V Rds

Характеристики

Технология Si

Упаковка / блок SOT-227B-4

Вид монтажа SMD/SMT

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 300 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.15 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 400 A

Pd - рассеивание мощности 735 W

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия IXGN400N30

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tube

Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару

Задать вопрос