Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / IXGK100N170
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH VOLT NPT IGBTS 1700V 100A
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-264-3
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.7 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 170 A
Pd - рассеивание мощности 830 W
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия IXGK100N170
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
