Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / IGW30N60TPXKSA1
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstandin
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-247-3
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.6 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 53 A
Pd - рассеивание мощности 200 W
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Серия 600V TRENCHSTOP
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару