Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / IXYJ20N120C3D1
Нет ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT 1200V IGBT GenX7 XPT IGBT
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-247-3
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 4 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 21 A
Pd - рассеивание мощности 105 W
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия IXYJ20N120
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
