Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / IKB40N65EH5ATMA1
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 40A 650V TRENCHSTOP 5 fast H5 IGBT copacked with 40A Rapid 1 diode
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-263-3
Вид монтажа SMD/SMT
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.65 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 74 A
Pd - рассеивание мощности 250 W
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Серия TRENCHSTOP 5
Квалификация Неизвестно
Упаковка Cut Tape, Reel
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
