Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / STGYA120M65DF2AG
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in a Max247 long leads package
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок MAX-247-3
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.65 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 160 A
Pd - рассеивание мощности 625 W
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Серия STGYA120M65DF2AG
Квалификация AEC-Q101
Упаковка Неизвестно
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
