IGW100N60H3

Технология Si

Упаковка / блок TO-247-3

Вид монтажа Through Hole

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.85 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 140 A

Pd - рассеивание мощности 714 W

Минимальная рабочая температура - 40 C

Максимальная рабочая температура + 175 C

Серия HighSpeed 3

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tube