Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / STGP30M65DF2
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок Неизвестно
Вид монтажа Неизвестно
Конфигурация Неизвестно
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Неизвестно
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Неизвестно
Максимальное напряжение затвор-эмиттер Неизвестно
Непрерывный коллекторный ток при 25 C Неизвестно
Pd - рассеивание мощности Неизвестно
Минимальная рабочая температура Неизвестно
Максимальная рабочая температура Неизвестно
Серия STGP30M65DF2
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
