Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / IXBF55N300
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) High Voltage High Gain BIMOSFET
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок ISOPLUS i4-PAK-3
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 3 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.7 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 25 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 86 A
Pd - рассеивание мощности 357 W
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия Very High Voltage
Квалификация Неизвестно
Упаковка Неизвестно
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
