Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / IXGT6N170AHV-TRL
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IXGT6N170AHV TRL
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-268-3
Вид монтажа SMD/SMT
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.7 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 7 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 6 A
Pd - рассеивание мощности 75 W
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия High Voltage
Квалификация Неизвестно
Упаковка Reel
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
