Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / HGT1S10N120BNST
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Channel IGBT NPT Series 1200V
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-263AB-3
Вид монтажа SMD/SMT
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.7 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 35 A
Pd - рассеивание мощности 298 W
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия HGT1S10N120BNS
Квалификация Неизвестно
Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
