Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / IXYP30N65C3
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT XPT-GENX3
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-220-3
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.35 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 60 A
Pd - рассеивание мощности 270 W
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Серия Неизвестно
Квалификация Неизвестно
Упаковка Неизвестно
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
