Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / STGWA40S120DF3
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 40 A low drop
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO247-3
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.65 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 80 A
Pd - рассеивание мощности 468 W
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Серия STGWA40S120DF3
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
