Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / STGF10H60DF
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate H series 600V 10A HiSpd
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-220-3 FP
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 20 A
Pd - рассеивание мощности 30 W
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Серия STGF10H60DF
Квалификация Неизвестно
Упаковка Неизвестно
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
