IXGN100N170

Технология Si

Упаковка / блок SOT-227B-4

Вид монтажа SMD/SMT

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.7 kV

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 160 A

Pd - рассеивание мощности 735 W

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия IXGN100N170

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tube