Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / IXGF32N170
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 26 Amps 1700V 3.5 V Rds
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок ISOPLUS i4-Pak-3
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.7 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.7 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 44 A
Pd - рассеивание мощности 200 W
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия IXGF32N170
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару