Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / STGB30H60DLLFBAG
Нет ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок D2PAK-3
Вид монтажа SMD/SMT
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.7 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A
Pd - рассеивание мощности 260 W
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Серия STGB30H60DLLFBAG
Квалификация AEC-Q101
Упаковка Неизвестно
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
