Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / HGTG18N120BND
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 54A 1200V N-Ch w/Ant Parallel Hyprfst Dde
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-247-3
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.45 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 54 A
Pd - рассеивание мощности 390 W
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия HGTG18N120BND
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
