Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / IXGK50N60C2D1
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 600V 2.5V Rds
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-264-3
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C Неизвестно
Pd - рассеивание мощности Неизвестно
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия IXGK50N60
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
