Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / STGWA15H120DF2
Нет ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок Неизвестно
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A
Pd - рассеивание мощности 259 W
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Серия STGWA15H120DF2
Квалификация Неизвестно
Упаковка Неизвестно
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
