Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / IRG4PF50WDPBF
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 900V Warp 20-100kHz
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-247-3
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 900 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.25 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 51 A
Pd - рассеивание мощности 200 W
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия Неизвестно
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
