Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / AFGHL50T65SQDC
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD
Характеристики
Технология SiC
Упаковка / блок TO-247-3
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.6 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 100 A
Pd - рассеивание мощности 268 W
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Серия Неизвестно
Квалификация AEC-Q101
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
