Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / RGW00TK65DGVC11
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-3PFM
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 45 A
Pd - рассеивание мощности 89 W
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Серия Неизвестно
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
