Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / STGP4M65DF2
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench Gate IGBT M Series 650V 4A
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-220-3
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.6 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 8 A
Pd - рассеивание мощности 68 W
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Серия STGP4M65DF2
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
