Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / IXXR110N65B4H1
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/150A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок ISOPLUS 247-3
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.75 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 150 A
Pd - рассеивание мощности 455 W
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Серия IXXR110N65
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
