Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / IGW75N65H5XKSA1
Нет ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Infineon s new TRENCHSTOP 5 IGBT technology redefines Best-in-class IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthroug
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-247-3
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.65 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 120 A
Pd - рассеивание мощности 395 W
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Серия TRENCHSTOP 5 H5
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
