Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / IGW40N120H3
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-247-3
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.05 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 80 A
Pd - рассеивание мощности 483 W
Минимальная рабочая температура - 40 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Серия HighSpeed 3
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
