Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / FGB40T65SPD-F085
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench IGBT
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-263-3
Вид монтажа SMD/SMT
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.9 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 80 A
Pd - рассеивание мощности 267 W
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Серия FGB40T65SPD
Квалификация AEC-Q101
Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару