Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) / IXXH50N60B3D1
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
Характеристики
Технология Si
Упаковка / блок TO-247-3
Вид монтажа Through Hole
Конфигурация Неизвестно
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.55 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 120 A
Pd - рассеивание мощности 600 W
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 175 C
Серия IXXH50N60
Квалификация Неизвестно
Упаковка Tube
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
