IXXN110N65B4H1

Есть ROHS

Описание:

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT

Характеристики

Технология Si

Упаковка / блок SOT-227

Вид монтажа SMD/SMT

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C 215 A

Pd - рассеивание мощности 750 W

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия IXXN110N65

Квалификация Неизвестно

Упаковка Tube

Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару

Задать вопрос